IMBG120R090M1HXTMA1

Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред

Қисми истеҳсолкунанда	IMBG120R090M1HXTMA1
Истеҳсолкунанда	IR (Infineon Technologies)
Тавсифи	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Категория	маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ
Оила	транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка
Гардиши айём:	New from this manufacturer.
Интиқол:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Пардохт	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Рӯйхат	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Мавҷудият

Дар фурӯш	466828
Нархи чакана	$ 14.47000

IMBG120R090M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IMBG120R090M1HXTMA1 Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
силсила:	CoolSiC™
баста:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ҳолати қисм:	Active
навъи фут:	N-Channel
технология:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss):	1.2 kV
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c:	26A (Tc)
шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол):	-
rds оид ба (максимум) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (максимум) @ id:	5.7V @ 3.7mA
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (максимум):	+18V, -15V
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds:	763 pF @ 800 V
хусусияти fet:	Standard
сарфи қувваи барқ (максимум):	136W (Tc)
ҳарорати корӣ:	-55°C ~ 175°C (TJ)
навъи насб:	Surface Mount
бастаи дастгоҳи таъминкунанда:	PG-TO263-7-12
баста / парванда:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.