SISS10DN-T1-GE3

Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред

Қисми истеҳсолкунанда	SISS10DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда	Vishay / Siliconix
Тавсифи	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Категория	маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ
Оила	транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка
Гардиши айём:	New from this manufacturer.
Интиқол:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Пардохт	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Рӯйхат	SISS10DN-T1-GE3 PDF

Мавҷудият

Дар фурӯш	3461
Нархи чакана	$ 1.06000

SISS10DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISS10DN-T1-GE3 Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
силсила:	TrenchFET®
баста:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ҳолати қисм:	Active
навъи фут:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss):	40 V
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c:	60A (Tc)
шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол):	4.5V, 10V
rds оид ба (максимум) @ id, vgs:	2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (максимум) @ id:	2.4V @ 250µA
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (максимум):	+20V, -16V
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds:	3750 pF @ 20 V
хусусияти fet:	-
сарфи қувваи барқ (максимум):	57W (Tc)
ҳарорати корӣ:	-55°C ~ 150°C (TJ)
навъи насб:	Surface Mount
бастаи дастгоҳи таъминкунанда:	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
баста / парванда:	PowerPAK® 1212-8S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.